Производитель Номер продукта:
DMG4N65CTI
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMG4N65CTI-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 4A ITO220AB
Подробное описание:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 8.35W (Ta) Through Hole ITO-220AB
Инвентаризация:
12882720
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMG4N65CTI Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
13.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
900 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
8.35W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
ITO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Базовый номер продукта
DMG4
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
DMG4N65CTIDI
DMG4N65CTIDDI
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
TSM4ND65CI
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Taiwan Semiconductor Corporation
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1845
Номер части
TSM4ND65CI-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.04
Тип замещения
Direct
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BS170FTA
MOSFET N-CH 60V 0.15MA SOT23-3
DMP21D0UFB-7
MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN
DMNH4005SPSQ-13
MOSFET N-CH 40V 80A PWRDI5060-8
