DMG6402LVT-7
Производитель Номер продукта:

DMG6402LVT-7

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMG6402LVT-7-DG

Описание:

MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26
Подробное описание:
N-Channel 30 V 6A (Ta) 1.75W (Ta) Surface Mount TSOT-26

Инвентаризация:

26413 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12900401
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

DMG6402LVT-7 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
30mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
11.4 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
498 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.75W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TSOT-26
Упаковка / Чехол
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Базовый номер продукта
DMG6402

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
DMG6402LVT-7DICT
DMG6402LVT-7DIDKR
DMG6402LVT-7DITR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
diodes

DMN33D8LTQ-13

MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523

taiwan-semiconductor

TSM4436CS RLG

MOSFET N-CHANNEL 60V 8A 8SOP

diodes

DMN13H750S-7

MOSFET N-CH 130V 1A SOT23

taiwan-semiconductor

TSM600N25ECH C5G

MOSFET N-CHANNEL 250V 8A TO251