DMN13H750S-7
Производитель Номер продукта:

DMN13H750S-7

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMN13H750S-7-DG

Описание:

MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
Подробное описание:
N-Channel 130 V 1A (Ta) 770mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Инвентаризация:

7911 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12900438
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

DMN13H750S-7 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
130 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
750mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
5.6 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
231 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
770mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23-3
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый номер продукта
DMN13

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
DMN13H750S-7DITR
DMN13H750S-7DIDKR
DMN13H750S-7DICT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
taiwan-semiconductor

TSM600N25ECH C5G

MOSFET N-CHANNEL 250V 8A TO251

diodes

DMT3006LFV-7

MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

diodes

DMN61D8LQ-13

MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23

taiwan-semiconductor

TSM4NB60CZ C0G

MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO220