DMN61D8LQ-13
Производитель Номер продукта:

DMN61D8LQ-13

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMN61D8LQ-13-DG

Описание:

MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23
Подробное описание:
N-Channel 60 V 470mA (Ta) 390mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Инвентаризация:

25038 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12900490
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

DMN61D8LQ-13 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
470mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
3V, 5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.8Ohm @ 150mA, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
0.74 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
12.9 pF @ 12 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
390mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23-3
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый номер продукта
DMN61

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
10,000
Другие названия
DMN61D8LQ-13DITR
DMN61D8LQ-13-DG
DMN61D8LQ-13DICT
DMN61D8LQ-13DIDKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
taiwan-semiconductor

TSM4NB60CZ C0G

MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO220

diodes

DMT5015LFDF-13

MOSFET N-CH 50V 9.1A 6UDFN

fairchild-semiconductor

HUF75829D3

MOSFET N-CH 150V 18A IPAK

taiwan-semiconductor

TSM210N02CX RFG

MOSFET N-CHANNEL 20V 6.7A SOT23