DMT5015LFDF-13
Производитель Номер продукта:

DMT5015LFDF-13

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMT5015LFDF-13-DG

Описание:

MOSFET N-CH 50V 9.1A 6UDFN
Подробное описание:
N-Channel 50 V 9.1A (Ta) 820mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)

Инвентаризация:

12900499
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

DMT5015LFDF-13 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
50 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9.1A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
15mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
902.7 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
820mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
U-DFN2020-6 (Type F)
Упаковка / Чехол
6-UDFN Exposed Pad
Базовый номер продукта
DMT5015

Дополнительная информация

Стандартный пакет
10,000
Другие названия
31-DMT5015LFDF-13TR
DMT5015LFDF-13DI
DMT5015LFDF-13DI-DG
31-DMT5015LFDF-13DKR
31-DMT5015LFDF-13CT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
fairchild-semiconductor

HUF75829D3

MOSFET N-CH 150V 18A IPAK

taiwan-semiconductor

TSM210N02CX RFG

MOSFET N-CHANNEL 20V 6.7A SOT23

diodes

DMP21D5UFD-7

MOSFET P-CH 20V 600MA 3DFN

taiwan-semiconductor

TSM2N100CH C5G

MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO251