DMN1004UFV-7
Производитель Номер продукта:

DMN1004UFV-7

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMN1004UFV-7-DG

Описание:

MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333
Подробное описание:
N-Channel 12 V 70A (Tc) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UX)

Инвентаризация:

69382 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12891364
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

DMN1004UFV-7 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
47 nC @ 8 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2385 pF @ 6 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.9W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerDI3333-8 (Type UX)
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
DMN1004

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,000
Другие названия
DMN1004UFV-7DICT
DMN1004UFV-7-DG
DMN1004UFV-7DIDKR
DMN1004UFV-7DITR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
toshiba-semiconductor-and-storage

TPH5200FNH,L1Q

MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP

toshiba-semiconductor-and-storage

TJ15P04M3,RQ(S

MOSFET P-CH 40V 15A DPAK

toshiba-semiconductor-and-storage

TK39A60W,S4VX

MOSFET N-CH 600V 38.8A TO220SIS

diodes

DMN67D8LT-7

MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT523 T&R