DMN1017UCP3-7
Производитель Номер продукта:

DMN1017UCP3-7

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMN1017UCP3-7-DG

Описание:

MOSFET N-CH 12V 7.5A X3DSN1010-3
Подробное описание:
N-Channel 12 V 7.5A (Ta) 1.47W Surface Mount X3-DSN1010-3

Инвентаризация:

3000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12890278
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

DMN1017UCP3-7 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7.5A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 3.3V
Rds On (макс.) @ id, vgs
17mOhm @ 5A, 3.3V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
16 nC @ 3.3 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1503 pF @ 6 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.47W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
X3-DSN1010-3
Упаковка / Чехол
3-XDFN
Базовый номер продукта
DMN1017

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
31-DMN1017UCP3-7DKR
31-DMN1017UCP3-7CT
31-DMN1017UCP3-7TR
DMN1017UCP3-7-DG

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
toshiba-semiconductor-and-storage

TK30E06N1,S1X

MOSFET N-CH 60V 43A TO220

toshiba-semiconductor-and-storage

TPN2R304PL,L1Q

MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON

toshiba-semiconductor-and-storage

TPC8036-H(TE12L,QM

MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP

toshiba-semiconductor-and-storage

TPCF8B01(TE85L,F,M

MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8