Производитель Номер продукта:
DMN10H099SFG-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMN10H099SFG-13-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
Подробное описание:
N-Channel 100 V 4.2A (Ta) 980mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
Инвентаризация:
12884748
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMN10H099SFG-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.2A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
80mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
25.2 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1172 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
980mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerDI3333-8
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
DMN10
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
DMN10H099SFG-7
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1621
Номер части
DMN10H099SFG-7-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.20
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMP4065S-13
MOSFET P-CH 40V 2.4A SOT23
DMT10H009LCG-7
MOSFET N-CH 100V 12.4A/47A 8DFN
DMP26M7UFG-7
MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
