DMN10H170SFGQ-13
Производитель Номер продукта:

DMN10H170SFGQ-13

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMN10H170SFGQ-13-DG

Описание:

MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Подробное описание:
N-Channel 100 V 2.9A (Ta), 8.5A (Tc) 940mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8

Инвентаризация:

Запрос на предложение в Интернете
12899386
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

DMN10H170SFGQ-13 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
122mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
14.9 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
870.7 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
940mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerDI3333-8
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
DMN10

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
DMN10H170SFGQ-13
HTML Спецификация
DMN10H170SFGQ-13-DG

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
DMN10H170SFGQ-13DI

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095

Альтернативные модели

Номер детали
DMN10H170SFG-7
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1070
Номер части
DMN10H170SFG-7-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.16
Тип замещения
Parametric Equivalent
Номер детали
DMN10H170SFGQ-7
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
DMN10H170SFGQ-7-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.23
Тип замещения
Parametric Equivalent
Номер детали
DMN10H170SFG-13
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
5900
Номер части
DMN10H170SFG-13-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.16
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Связанные продукты
taiwan-semiconductor

TSM60NB1R4CH C5G

MOSFET N-CHANNEL 600V 3A TO251

taiwan-semiconductor

TSM1NB60SCT A3

MOSFET N-CH 600V 500MA TO92

taiwan-semiconductor

TSM80N1R2CP ROG

MOSFET N-CH 800V 5.5A TO252

taiwan-semiconductor

TSM090N03ECP ROG

MOSFET N-CHANNEL 30V 50A TO252