DMN2008LFU-7
Производитель Номер продукта:

DMN2008LFU-7

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMN2008LFU-7-DG

Описание:

MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN
Подробное описание:
Mosfet Array 20V 14.5A 1W Surface Mount U-DFN2030-6 (Type B)

Инвентаризация:

5679 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12888766
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

DMN2008LFU-7 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
14.5A
Rds On (макс.) @ id, vgs
5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250A
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
42.3nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1418pF @ 10V
Мощность - Макс
1W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
6-UFDFN Exposed Pad
Комплект устройства поставщика
U-DFN2030-6 (Type B)
Базовый номер продукта
DMN2008

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
DMN2008LFU-7DIDKR
DMN2008LFU-7DITR
DMN2008LFU-7DICT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
diodes

DMT3020LFDB-13

MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 6UDFN

diodes

DMN2400UV-7

MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563

diodes

DMNH6035SPDW-13

MOSFET 2N-CH 60V 33A POWERDI50

diodes

DMG6898LSD-13

MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO