DMN2310UFD-7
Производитель Номер продукта:

DMN2310UFD-7

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMN2310UFD-7-DG

Описание:

MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN1212-3
Подробное описание:
N-Channel 20 V 1.7A (Ta) 670mW (Ta) Surface Mount U-DFN1212-3 (Type C)

Инвентаризация:

13000987
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

DMN2310UFD-7 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.7A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
240mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
950mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
0.7 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
38 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
670mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
U-DFN1212-3 (Type C)
Упаковка / Чехол
3-PowerUDFN
Базовый номер продукта
DMN2310

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
31-DMN2310UFD-7TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
panjit

PJMB130N65EC_R2_00601

650V/ 130MOHM / 29A/ EASY TO DRI

panjit

PJMB390N65EC_R2_00601

650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI

rohm-semi

SCT4026DW7HRTL

750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR

nexperia

PMPB07R3ENAX

SMALL SIGNAL MOSFET FOR MOBILE