PMPB07R3ENAX
Производитель Номер продукта:

PMPB07R3ENAX

Product Overview

Производитель:

Nexperia USA Inc.

Номер детали:

PMPB07R3ENAX-DG

Описание:

SMALL SIGNAL MOSFET FOR MOBILE
Подробное описание:
N-Channel 30 V 12A (Ta) 1.9W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount DFN2020M-6

Инвентаризация:

3000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13001002
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

PMPB07R3ENAX Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Nexperia
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.6mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
914 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DFN2020M-6
Упаковка / Чехол
6-UDFN Exposed Pad

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
1727-PMPB07R3ENAXCT
1727-PMPB07R3ENAXDKR
1727-PMPB07R3ENAXTR
5202-PMPB07R3ENAXTR
934662428184

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
taiwan-semiconductor

TSM038N03PQ33

30V, 78A, SINGLE N-CHANNEL POWER

goford-semiconductor

G28N03D3

MOSFET N-CH 30V 28A DFN3*3-8L

onsemi

FDMT800120DC-22897

FET 120V 4.2 MOHM PQFN88

taiwan-semiconductor

TSM80N950CP

800V, 6A, SINGLE N-CHANNEL POWER