G28N03D3
Производитель Номер продукта:

G28N03D3

Product Overview

Производитель:

Goford Semiconductor

Номер детали:

G28N03D3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 30V 28A DFN3*3-8L
Подробное описание:
N-Channel 28A (Tc) 23W (Tc) Surface Mount 8-DFN (3.15x3.05)

Инвентаризация:

10000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13001012
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

G28N03D3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Goford Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
12mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Vgs (макс.)
±20V
Функция полевых транзисторов
Standard
Рассеиваемая мощность (макс.)
23W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-DFN (3.15x3.05)
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
5,000
Другие названия
4822-G28N03D3TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

FDMT800120DC-22897

FET 120V 4.2 MOHM PQFN88

taiwan-semiconductor

TSM80N950CP

800V, 6A, SINGLE N-CHANNEL POWER

transphorm

TP65H050G4BS

650 V 34 A GAN FET

goford-semiconductor

G08N06S

MOSFET N-CH 60V 5A SOP-8