Производитель Номер продукта:
TP65H050G4BS
Product Overview
Производитель:
Transphorm
Номер детали:
TP65H050G4BS-DG
Описание:
650 V 34 A GAN FET
Подробное описание:
N-Channel 650 V 34A (Tc) 119W (Tc) Surface Mount TO-263
Инвентаризация:
329 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13001027
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TP65H050G4BS Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Transphorm
Упаковка
Tube
Серия
SuperGaN®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
60mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.8V @ 700µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1000 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
119W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
TP65H050
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
1707-TP65H050G4BS
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
G08N06S
MOSFET N-CH 60V 5A SOP-8
GT095N10D5
N100V,RD(MAX)<11M@10V,RD(MAX)<15
BUK4D38-20PX
SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
