G08N06S
Производитель Номер продукта:

G08N06S

Product Overview

Производитель:

Goford Semiconductor

Номер детали:

G08N06S-DG

Описание:

MOSFET N-CH 60V 5A SOP-8
Подробное описание:
N-Channel 5A (Tc) 2.1W (Tc) Surface Mount 8-SOP

Инвентаризация:

8000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13001030
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

G08N06S Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Goford Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
30mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Vgs (макс.)
±20V
Функция полевых транзисторов
Standard
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.1W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOP
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Дополнительная информация

Стандартный пакет
4,000
Другие названия
4822-G08N06STR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
goford-semiconductor

GT095N10D5

N100V,RD(MAX)<11M@10V,RD(MAX)<15

nexperia

BUK4D38-20PX

SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI

xsemi

XP2N1K2EN1

MOSFET N-CH 20V 200MA SOT723

xsemi

XP9561GI

MOSFET P-CH 40V 36A TO220CFM