FDMT800120DC-22897
Производитель Номер продукта:

FDMT800120DC-22897

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

FDMT800120DC-22897-DG

Описание:

FET 120V 4.2 MOHM PQFN88
Подробное описание:
N-Channel 120 V 20A (Ta), 128A (Tc) 3.2W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-Dual Cool™88

Инвентаризация:

13001018
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FDMT800120DC-22897 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
120 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20A (Ta), 128A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
107 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
7850 pF @ 60 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.2W (Ta), 156W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-Dual Cool™88
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
488-FDMT800120DC-22897TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
taiwan-semiconductor

TSM80N950CP

800V, 6A, SINGLE N-CHANNEL POWER

transphorm

TP65H050G4BS

650 V 34 A GAN FET

goford-semiconductor

G08N06S

MOSFET N-CH 60V 5A SOP-8

goford-semiconductor

GT095N10D5

N100V,RD(MAX)<11M@10V,RD(MAX)<15