Производитель Номер продукта:
DMN2500UFB4-7B
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMN2500UFB4-7B-DG
Описание:
MOSFET N-CH X2-DFN1006-3
Подробное описание:
N-Channel 20 V 810mA (Ta) 460mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
Инвентаризация:
12948689
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMN2500UFB4-7B Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
810mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
400mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
0.737 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±6V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
60.67 pF @ 16 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
460mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
X2-DFN1006-3
Упаковка / Чехол
3-XFDFN
Базовый номер продукта
DMN2500
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
DMN2500UFB4-7BDI
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
DMN2450UFB4-7B
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
18897
Номер части
DMN2450UFB4-7B-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.03
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIJA74DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK
SIJH112E-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK
STB12NM50FDT4
MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
