Производитель Номер продукта:
DMN3016LFDE-7
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMN3016LFDE-7-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN
Подробное описание:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 730mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
Инвентаризация:
27621 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12890329
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMN3016LFDE-7 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
12mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
25.1 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1415 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
730mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
U-DFN2020-6 (Type E)
Упаковка / Чехол
6-PowerUDFN
Базовый номер продукта
DMN3016
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
DMN3016LFDE-7DIDKR
DMN3016LFDE-7DITR
-DMN3016LFDE-7DIDKR
DMN3016LFDE-7DI
DMN3016LFDE-7DICT
-DMN3016LFDE-7DICT
DMN3016LFDE-7DI-DG
-DMN3016LFDE-7DITR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TK12A50D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 500V 12A TO220SIS
TK58A06N1,S4X
MOSFET N-CH 60V 58A TO220SIS
TK3A65D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 650V 3A TO220SIS
