Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
DMN3026LVTQ-7
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMN3026LVTQ-7-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26
Подробное описание:
N-Channel 30 V 6.6A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount TSOT-26
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12891614
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMN3026LVTQ-7 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6.6A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
23mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
12.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
643 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.2W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TSOT-26
Упаковка / Чехол
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Базовый номер продукта
DMN3026
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
DMN3026LVTQ-7
HTML Спецификация
DMN3026LVTQ-7-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
DMN3026LVTQ-7DICT-DG
DMN3026LVTQ-7DIDKR
31-DMN3026LVTQ-7TR
31-DMN3026LVTQ-7CT
31-DMN3026LVTQ-7DKR
DMN3026LVTQ-7DITR
DMN3026LVTQ-7DIDKR-DG
DMN3026LVTQ-7DITR-DG
DMN3026LVTQ-7DICT
DMN3026LVTQ-7-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
FDC8886
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Fairchild Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
142596
Номер части
FDC8886-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.18
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
DMN3026LVT-7
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
8316
Номер части
DMN3026LVT-7-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.08
Тип замещения
Parametric Equivalent
Номер детали
DMN3026LVTQ-13
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
DMN3026LVTQ-13-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.12
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMN3016LFDF-7
MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN
DMN30H4D0LFDE-7
MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN
DMN2009USS-13
MOSFET N-CH 20V 8SOIC
DMTH10H015SPS-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060