Производитель Номер продукта:
DMN3032LE-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMN3032LE-13-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223
Подробное описание:
N-Channel 30 V 5.6A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SOT-223-3
Инвентаризация:
159962 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12888176
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
qGEl
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMN3032LE-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5.6A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
29mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
11.3 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
498 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.8W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-223-3
Упаковка / Чехол
TO-261-4, TO-261AA
Базовый номер продукта
DMN3032
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
DMN3032LE-13DITR
DMN3032LE-13DICT
DMN3032LE-13DIDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMN2055U-13
MOSFET N-CH 20V 4.8A SOT23 T&R 1
DMP2023UFDF-7
MOSFET P-CH 20V 7.6A 6UDFN
DMN67D8LT-13
MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT523 T&R