DMN3061SWQ-7
Производитель Номер продукта:

DMN3061SWQ-7

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMN3061SWQ-7-DG

Описание:

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
Подробное описание:
N-Channel 30 V 2.7A (Ta) 490mW (Ta) Surface Mount SOT-323

Инвентаризация:

7000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13000370
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

DMN3061SWQ-7 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
3.3V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
60mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.8V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
3.5 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
278 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
490mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-323
Упаковка / Чехол
SC-70, SOT-323
Базовый номер продукта
DMN3061

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
31-DMN3061SWQ-7CT
31-DMN3061SWQ-7DKR
31-DMN3061SWQ-7TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
taiwan-semiconductor

TSM60NB380CP

600V, 9.5A, SINGLE N-CHANNEL POW

goford-semiconductor

G2012

N20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<18

diodes

DMP4065SK3-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R

goford-semiconductor

GC11N65M

N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4