Производитель Номер продукта:
DMN3112SSS-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMN3112SSS-13-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP
Подробное описание:
N-Channel 30 V 6A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Инвентаризация:
12891490
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMN3112SSS-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
57mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 250µA
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
268 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOP
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Базовый номер продукта
DMN3112
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
DMN3112SSS13
DMN3112SSSDICT
DMN3112SSSDITR
DMN3112SSSDIDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TK14G65W,RQ
MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
BSS138W-7
MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT323
2SK2035(T5L,F,T)
MOSFET N-CH 20V 100MA SSM
