DMNH6069SFVWQ-13
Производитель Номер продукта:

DMNH6069SFVWQ-13

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMNH6069SFVWQ-13-DG

Описание:

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
Подробное описание:
N-Channel 60 V 5A (Ta), 18A (Tc) 3W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX

Инвентаризация:

12979254
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

DMNH6069SFVWQ-13 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5A (Ta), 18A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
50mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
740 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount, Wettable Flank
Комплект устройства поставщика
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
DMNH6069

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
31-DMNH6069SFVWQ-13TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
diodes

DMTH31M7LPSQ-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506

fairchild-semiconductor

FCP25N60N-F102

MOSFET N-CH 600V 25A TO220-3

diodes

DMP68D0LFB-7B

MOSFET BVDSS: 61V~100V X2-DFN100

onsemi

NVMFS4C308NWFT1G

TRENCH 30V NCH