Производитель Номер продукта:
DMT10H009SSS-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMT10H009SSS-13-DG
Описание:
MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&R
Подробное описание:
N-Channel 100 V 12A (Ta), 42A (Tc) 1.4W (Ta)
Инвентаризация:
12900955
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMT10H009SSS-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12A (Ta), 42A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
9mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
29.8 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2085 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.4W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
-
Комплект устройства поставщика
-
Упаковка / Чехол
-
Базовый номер продукта
DMT10
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMN62D0UW-7
MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
DMTH43M8LPSQ-13
MOSFET N-CH 40V 22A PWRDI5060
DMP10H400SEQ-13
MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
