Производитель Номер продукта:
DMT10H015LFG-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMT10H015LFG-13-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Подробное описание:
N-Channel 100 V 10A (Ta), 42A (Tc) 2W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount POWERDI3333-8
Инвентаризация:
3000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12884799
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMT10H015LFG-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10A (Ta), 42A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
13.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
33.3 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1871 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2W (Ta), 35W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerDI3333-8
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
DMT10
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
31-DMT10H015LFG-13CT
DMT10H015LFG-13DI
DMT10H015LFG-13DI-DG
31-DMT10H015LFG-13DKR
31-DMT10H015LFG-13TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMT6010LPS-13
MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060
DMN10H170SFG-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
DMPH6050SFG-7
MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333
