Производитель Номер продукта:
DMT10H032LFVW-7
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMT10H032LFVW-7-DG
Описание:
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Подробное описание:
N-Channel 100 V 17A (Tc) 1.3W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Инвентаризация:
13000779
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMT10H032LFVW-7 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
32mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
11.9 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
683 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.3W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount, Wettable Flank
Комплект устройства поставщика
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
DMT10
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
31-DMT10H032LFVW-7TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMP6018LPS-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
DMN3061SW-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
DMP4047LFDEQ-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V U-DFN2020-
