Производитель Номер продукта:
DMT10H072LFDF-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMT10H072LFDF-13-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
Подробное описание:
N-Channel 100 V 4A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Инвентаризация:
12894657
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMT10H072LFDF-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
62mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
5.1 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
266 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
800mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
U-DFN2020-6 (Type F)
Упаковка / Чехол
6-UDFN Exposed Pad
Базовый номер продукта
DMT10
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
10,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
DMT10H072LFDF-7
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3000
Номер части
DMT10H072LFDF-7-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.21
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TSM160N10CZ C0G
MOSFET N-CH 100V 160A TO220
DMP3036SFV-7
MOSFET P-CH 30V 30A POWERDI3333
DMT3008LFDF-7
MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN