Производитель Номер продукта:
DMT12H007LPS-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMT12H007LPS-13-DG
Описание:
MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8
Подробное описание:
N-Channel 120 V 90A (Tc) 2.9W Surface Mount PowerDI5060-8
Инвентаризация:
6056 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12921712
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMT12H007LPS-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
120 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3224 pF @ 60 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.9W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerDI5060-8
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
DMT12
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
31-DMT12H007LPS-13DKR
31-DMT12H007LPS-13CT
31-DMT12H007LPS-13TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMN22M5UFG-7
MOSFET N-CH 20V 27A POWERDI3333
SUP90330E-GE3
MOSFET N-CH 200V 35.8A TO220AB
SIRC10DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
