DMT3020LFVW-7
Производитель Номер продукта:

DMT3020LFVW-7

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMT3020LFVW-7-DG

Описание:

MOSFET N-CH 30V 38A POWERDI3333
Подробное описание:
N-Channel 30 V 38A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UX)

Инвентаризация:

12896509
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

DMT3020LFVW-7 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
38A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
17mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
393 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerDI3333-8 (Type UX)
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
DMT3020

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,000

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
taiwan-semiconductor

TSM025NB04CR RLG

MOSFET N-CH 40V 24A/161A 8PDFN

diodes

DMTH8012LK3-13

MOSFET N-CH 80V 50A TO252

diodes

DMNH6012LK3Q-13

MOSFET N-CH 60V 80A TO252

taiwan-semiconductor

TSM2328CX RFG

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23