Производитель Номер продукта:
DMT6006LSS-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMT6006LSS-13-DG
Описание:
MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2
Подробное описание:
N-Channel 60 V 11.9A (Ta) 1.38W (Ta) Surface Mount 8-SO
Инвентаризация:
12979299
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMT6006LSS-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11.9A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
34.9 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2162 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.38W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SO
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
31-DMT6006LSS-13DKR
31-DMT6006LSS-13CT
31-DMT6006LSS-13TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMN3028L-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
DMTH10H1M7STLW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
IRF6644TRPBF
IRF6644 - 12V-300V N-CHANNEL POW
