Производитель Номер продукта:

DMT8008LSS-13

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMT8008LSS-13-DG

Описание:

MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8

Подробное описание:

N-Channel 80 V 13A (Ta), 32A (Tc) 1.3W (Ta)

Инвентаризация:

Запрос на предложение в Интернете

12888871

Запросить котировку

Количество
Минимум 1

(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов

ОТПРАВИТЬ

DMT8008LSS-13 Технические характеристики

Категория

ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET

Производитель

Diodes Incorporated

Упаковка

Tape & Reel (TR)

Серия

-

Статус продукта

Active

Тип полевых транзисторов

N-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Напряжение стока к источнику (Vdss)

80 V

Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C

13A (Ta), 32A (Tc)

Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)

4.5V, 10V

Rds On (макс.) @ id, vgs

8mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th) (Макс) @ Id

2.8V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

47 nC @ 10 V

Vgs (макс.)

±20V

Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

2840 pF @ 40 V

Функция полевых транзисторов

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

1.3W (Ta)

Рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Базовый номер продукта

DMT8008

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

HTML Спецификация

DMT8008LSS-13-DG

Дополнительная информация

Стандартный пакет

2,500

Другие названия

DMT8008LSS-13DI

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS

ROHS3 Compliant

Уровень чувствительности к влаге (MSL)

1 (Unlimited)

Статус REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

ХИТСУС

8541.29.0095

Сертификация DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Связанные продукты

diodes

DMN3051L-7

MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

diodes

DMP3010LK3Q-13

MOSFET P-CH 30V 17A TO252

diodes

DMN65D8LQ-7

MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23

diodes

DMN62D1LFB-7B

MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN