Производитель Номер продукта:
DMT8008SCT
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMT8008SCT-DG
Описание:
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T
Подробное описание:
N-Channel 80 V 111A (Tc) 2.4W (Ta), 167W (Tc) Through Hole TO-220-3
Инвентаризация:
12979119
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMT8008SCT Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
111A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1950 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.4W (Ta), 167W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
DMT8008
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
31-DMT8008SCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMT61M8SPS-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
TK170V65Z,LQ
MOSFET N-CH 650V 18A 5DFN
DMG3420UQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
