Производитель Номер продукта:
DMT8012LFG-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMT8012LFG-13-DG
Описание:
MOSFET N-CH 80V PWRDI3333
Подробное описание:
N-Channel 80 V 9.5A (Ta), 35A (Tc) 2.2W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount POWERDI3333-8
Инвентаризация:
12888794
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
EBi6
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMT8012LFG-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9.5A (Ta), 35A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
16mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1949 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.2W (Ta), 30W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerDI3333-8
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
DMT8012
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
DMT8012LFG-7
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
5045
Номер части
DMT8012LFG-7-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.32
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMTH8012LK3Q-13
MOSFET N-CH 80V 50A TO252
DMP1022UFDF-13
MOSFET P-CH 12V 9.5A 6UDFN
DMP1096UCB4-7
MOSFET P-CH 12V 2.6A U-WLB1010-4