Производитель Номер продукта:
DMTH10H4M6SPSWQ-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMTH10H4M6SPSWQ-13-DG
Описание:
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Подробное описание:
N-Channel 100 V 21A (Ta), 115A (Tc) 4.7W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)
Инвентаризация:
13242599
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMTH10H4M6SPSWQ-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
21A (Ta), 115A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4327 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
4.7W (Ta), 136W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount, Wettable Flank
Комплект устройства поставщика
PowerDI5060-8 (Type UX)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
31-DMTH10H4M6SPSWQ-13TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMTH10H4M5LPSW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
DMN62D2UT-13
2N7002 FAMILY SOT523 T&R 10K
DMT10H075LE-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT223 T&
