Производитель Номер продукта:
DMTH47M2LFVWQ-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMTH47M2LFVWQ-13-DG
Описание:
MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI333
Подробное описание:
N-Channel 40 V 13.6A (Ta), 49A (Tc) 2.9W (Ta), 37.5W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Инвентаризация:
13002837
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMTH47M2LFVWQ-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
13.6A (Ta), 49A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
12.3 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
881 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.9W (Ta), 37.5W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount, Wettable Flank
Комплект устройства поставщика
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
DMTH47
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
31-DMTH47M2LFVWQ-13
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
ISC073N12LM6ATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
MCQ20N03HE3-TP
Interface
G160P03KI
P-30V,-30A,RD(MAX)<16M@-10V,VTH-
