DMTH8008LPSQ-13
Производитель Номер продукта:

DMTH8008LPSQ-13

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMTH8008LPSQ-13-DG

Описание:

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Подробное описание:
N-Channel 80 V 91A (Tc) 1.6W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8

Инвентаризация:

2500 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13000839
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

DMTH8008LPSQ-13 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
91A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7.8mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.8V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
41.2 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2345 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.6W (Ta), 100W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerDI5060-8
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500
Другие названия
31-DMTH8008LPSQ-13DKR
31-DMTH8008LPSQ-13CT
31-DMTH8008LPSQ-13TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
taiwan-semiconductor

TSM60NB260CI

600V, 13A, SINGLE N-CHANNEL POWE

goford-semiconductor

G65P06T

P-60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2.0V~

diodes

DMTH4M70SPGW-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808

diodes

DMT69M5LFVWQ-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333