Производитель Номер продукта:
ZVN2110GTA
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
ZVN2110GTA-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223
Подробное описание:
N-Channel 100 V 500mA (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-3
Инвентаризация:
8391 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12905673
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
ZVN2110GTA Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
500mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.4V @ 1mA
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
75 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-223-3
Упаковка / Чехол
TO-261-4, TO-261AA
Базовый номер продукта
ZVN2110
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
ZVN2110GCT
ZVN2110GDKRINACTIVE
ZVN2110G
ZVN2110GTR-NDR
ZVN2110GCT-NDR
ZVN2110GTR
ZVN2110GDKR-DG
Q1206752
ZVN2110GDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFR110TRPBF
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
IXFR27N80Q
MOSFET N-CH 800V 27A ISOPLUS247
ZVP2106ASTZ
MOSFET P-CH 60V 280MA E-LINE
