ZXMN3B04N8TA
Производитель Номер продукта:

ZXMN3B04N8TA

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

ZXMN3B04N8TA-DG

Описание:

MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO
Подробное описание:
N-Channel 30 V 7.2A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO

Инвентаризация:

2078 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12949477
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

ZXMN3B04N8TA Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7.2A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
25mOhm @ 7.2A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
700mV @ 250µA (Min)
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
23.1 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2480 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SO
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Базовый номер продукта
ZXMN3

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
500
Другие названия
ZXMN3B04N8DKR-DG
ZXMN3B04N8CT-NDR
ZXMN3B04N8DKR
ZXMN3B04N8DKRINACTIVE
ZXMN3B04N8TR
ZXMN3B04N8TR-NDR
ZXMN3B04N8CT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
diodes

DMTH10H4M5LPS-13

MOSFET N-CH 100V PWRDI5060

diodes

DMP1012UFDF-7

MOSFET P-CH 12V 12.6A/20A 6UDFN

diodes

DMN6068SE-13

MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223

diodes

DMP6250SFDF-7

MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-