ZXT13N50DE6QTA
Производитель Номер продукта:

ZXT13N50DE6QTA

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

ZXT13N50DE6QTA-DG

Описание:

PWR LOW SAT TRANSISTOR SOT26 T&R
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 4 A 115MHz 1.1 W Surface Mount SOT-26

Инвентаризация:

Запрос на предложение в Интернете
13000375
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

ZXT13N50DE6QTA Технические характеристики

Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
4 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
230mV @ 100mA, 4A
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
300 @ 1A, 2V
Мощность - Макс
1.1 W
Частота - переход
115MHz
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SOT-23-6
Комплект устройства поставщика
SOT-26

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
ZXT13N50DE6

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
31-ZXT13N50DE6QTATR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0075

Альтернативные модели

Номер детали
ZXT13N50DE6TA
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
186559
Номер части
ZXT13N50DE6TA-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.21
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Связанные продукты
diodes

MMBT5551Q-7

SS HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT23 T

taiwan-semiconductor

BC847CW

SOT-323, 50V, 0.1A, NPN BIPOLAR

diodes

FZT753QTA

PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T

diodes

ZTX455QSTZ

PWR MID PERF TRANSISTOR EP3 AMMO