Производитель Номер продукта:
FBG04N08ASH
Product Overview
Производитель:
EPC Space, LLC
Номер детали:
FBG04N08ASH-DG
Описание:
GAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A
Подробное описание:
N-Channel 40 V 8A (Tc) Surface Mount 4-SMD
Инвентаризация:
13002562
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FBG04N08ASH Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
EPC Space
Упаковка
Bulk
Серия
e-GaN®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
24mOhm @ 8A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 2mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
2.8 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
+6V, -4V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
312 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
4-SMD
Упаковка / Чехол
4-SMD, No Lead
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1
Другие названия
4107-FBG04N08ASH
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
9A515E1
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IMYH200R100M1HXKSA1
SIC DISCRETE
DMTH10H032LFVW-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI33
DMN2009UFDF-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
