Производитель Номер продукта:
FBG30N04CC
Product Overview
Производитель:
EPC Space, LLC
Номер детали:
FBG30N04CC-DG
Описание:
GAN FET HEMT 300V4A COTS 4FSMD-C
Подробное описание:
N-Channel 300 V 4A (Tc) Surface Mount 4-SMD
Инвентаризация:
58 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12997462
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FBG30N04CC Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
EPC Space
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
300 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
404mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.8V @ 600µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
2.6 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
+6V, -4V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
450 pF @ 150 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
4-SMD
Упаковка / Чехол
4-SMD, No Lead
Дополнительная информация
Стандартный пакет
169
Другие названия
4107-FBG30N04CC
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
ECCN
9A515E1
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PH4030DLVX
MOSFET N-CH 30V LFPAK
IXFH46N65X3
MOSFET 46A 650V X3 TO247
PJS6403_S1_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
