FCP380N60E
Производитель Номер продукта:

FCP380N60E

Product Overview

Производитель:

Fairchild Semiconductor

Номер детали:

FCP380N60E-DG

Описание:

MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 600 V 10.2A (Tc) 106W (Tc) Through Hole TO-220-3

Инвентаризация:

25616 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12946189
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FCP380N60E Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
SuperFET® II
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10.2A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
380mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1770 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
106W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
213
Другие названия
FAIFSCFCP380N60E
2156-FCP380N60E

Классификация окружающей среды и экспорта

ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
fairchild-semiconductor

FDS6294

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

international-rectifier

AUIRFU8401

MOSFET N-CH 40V 100A I-PAK

fairchild-semiconductor

FCP9N60N

MOSFET N-CH 600V 9A TO220-3

fairchild-semiconductor

FDMC0202S

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR