FDD8796
Производитель Номер продукта:

FDD8796

Product Overview

Производитель:

Fairchild Semiconductor

Номер детали:

FDD8796-DG

Описание:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Подробное описание:
N-Channel 25 V 35A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Инвентаризация:

25932 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12946987
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FDD8796 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
25 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5.7mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2610 pF @ 13 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
88W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252 (DPAK)
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
809
Другие названия
2156-FDD8796
ONSONSFDD8796

Классификация окружающей среды и экспорта

ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
fairchild-semiconductor

FDD8880_F054

1-ELEMENT, N-CHANNEL POWER MOSFE

fairchild-semiconductor

FDP8880

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FCPF260N60E

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N

fairchild-semiconductor

FDPF6N60ZUT

MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F