Производитель Номер продукта:
FDP8880
Product Overview
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Номер детали:
FDP8880-DG
Описание:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Подробное описание:
N-Channel 30 V 11A (Ta), 54A (Tc) 55W (Tc) Through Hole TO-220-3
Инвентаризация:
62900 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12946993
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDP8880 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11A (Ta), 54A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
11.6mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1240 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
55W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
573
Другие названия
FAIFSCFDP8880
2156-FDP8880
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.39.0001
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FCPF260N60E
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
FDPF6N60ZUT
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F
FDB16AN08A0
MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK
