Производитель Номер продукта:
FDFMA3P029Z
Product Overview
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Номер детали:
FDFMA3P029Z-DG
Описание:
MOSFET P-CH 30V 3.3A 6MICROFET
Подробное описание:
P-Channel 30 V 3.3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MLP (2x2)
Инвентаризация:
2319 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12946934
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDFMA3P029Z Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3.3A (Ta)
Rds On (макс.) @ id, vgs
87mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
435 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
Schottky Diode (Isolated)
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.4W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
6-MLP (2x2)
Упаковка / Чехол
6-WDFN Exposed Pad
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,110
Другие названия
2156-FDFMA3P029Z
FAIFSCFDFMA3P029Z
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.39.0001
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDS6298
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
CSD17303Q5
CSD17303Q5 30V, N CHANNEL NEXFET
FDB035AN06A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
