FDMA530PZ
Производитель Номер продукта:

FDMA530PZ

Product Overview

Производитель:

Fairchild Semiconductor

Номер детали:

FDMA530PZ-DG

Описание:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Подробное описание:
P-Channel 30 V 6.8A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)

Инвентаризация:

1800 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12946958
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FDMA530PZ Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6.8A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
35mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1070 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.4W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
6-MicroFET (2x2)
Упаковка / Чехол
6-WDFN Exposed Pad

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
804
Другие названия
FAIFSCFDMA530PZ
2156-FDMA530PZ

Классификация окружающей среды и экспорта

ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.39.0001
Сертификация DIGI
Связанные продукты
international-rectifier

IRF1010ZPBF

IRF1010 - 12V-300V N-CHANNEL POW

fairchild-semiconductor

FDD8882

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

fairchild-semiconductor

FDMS8023S

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

fairchild-semiconductor

FDB029N06

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK