Производитель Номер продукта:
IRF1010ZPBF
Product Overview
Производитель:
International Rectifier
Номер детали:
IRF1010ZPBF-DG
Описание:
IRF1010 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Подробное описание:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
350 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12946961
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
LlbQ
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF1010ZPBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
55 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2840 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
140W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
320
Другие названия
IFEIRFIRF1010ZPBF
2156-IRF1010ZPBF-IR
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.39.0001
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDD8882
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
FDMS8023S
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
FDB029N06
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
