AUIRF1010ZL
Производитель Номер продукта:

AUIRF1010ZL

Product Overview

Производитель:

International Rectifier

Номер детали:

AUIRF1010ZL-DG

Описание:

MOSFET N-CH 55V 75A TO262
Подробное описание:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-262

Инвентаризация:

8552 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12946973
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

AUIRF1010ZL Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
55 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
7.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2840 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
140W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-262
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
224
Другие названия
2156-AUIRF1010ZL
INFINFAUIRF1010ZL

Классификация окружающей среды и экспорта

ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
fairchild-semiconductor

FDS4470

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FDD8796

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

fairchild-semiconductor

FDD8880_F054

1-ELEMENT, N-CHANNEL POWER MOSFE

fairchild-semiconductor

FDP8880

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1