FDN352AP
Производитель Номер продукта:

FDN352AP

Product Overview

Производитель:

Fairchild Semiconductor

Номер детали:

FDN352AP-DG

Описание:

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Подробное описание:
P-Channel 30 V 1.3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Инвентаризация:

12000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12946556
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FDN352AP Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
180mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
1.9 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
150 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
500mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23-3
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый номер продукта
FDN352

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,094
Другие названия
ONSONSFDN352AP
2156-FDN352AP

Классификация окружающей среды и экспорта

ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
fairchild-semiconductor

FDBL86563-F085

MOSFET N-CH 60V 240A 8HPSOF

international-rectifier

AUIRF1404

AUIRF1404 - 20V-40V N-CHANNEL AU

fairchild-semiconductor

FQPF2N60C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

international-rectifier

IRF60DM206

IRF60 - 12V-300V N-CHANNEL POWER