FQPF2N60C
Производитель Номер продукта:

FQPF2N60C

Product Overview

Производитель:

Fairchild Semiconductor

Номер детали:

FQPF2N60C-DG

Описание:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Подробное описание:
N-Channel 600 V 2A (Tc) 23W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Инвентаризация:

16763 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12946563
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FQPF2N60C Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
QFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
235 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
23W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220F-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
501
Другие названия
ONSONSFQPF2N60C
2156-FQPF2N60C

Классификация окружающей среды и экспорта

ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
international-rectifier

IRF60DM206

IRF60 - 12V-300V N-CHANNEL POWER

fairchild-semiconductor

FDMS7670

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

fairchild-semiconductor

FDPF51N25YDTU

MOSFET N-CH 250V 51A TO220F-3

fairchild-semiconductor

FDP025N06

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1